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    過去，碳化硅生產(chǎn)商將其用于高溫環(huán)境下的設(shè)備，如軸承，機械零件，汽車制動器，甚至是磨具。將碳化硅應(yīng)用于電子和半導(dǎo)體領(lǐng)域具有以下優(yōu)勢：

    -高導(dǎo)熱率120-270W/mK-低熱膨脹系數(shù)的SiC—10^-6/C-高zui大電流密度的SiC性能使其成為優(yōu)良的SiC材料，特別是與SiC相比，SiC更具優(yōu)勢。由于碳化硅的材料特性，它在大功率、高電流和高熱導(dǎo)率方面有很大的優(yōu)越性。

    近幾年來，碳化硅在大功率、MOSFET、肖特基二極管、功率模塊等半導(dǎo)體工業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。雖然硅MOSFET比普通900V要貴一些，但是碳化硅可以達(dá)到10倍的峰值電壓。

    切換損失也很小，并且能夠支持更高的工作頻率，使得SiC能夠達(dá)到當(dāng)前的工作效率，尤其是在600伏特以上時。采用合適的工藝方法，可使碳化硅裝置的損耗降低近50%，系統(tǒng)體積降低300%，系統(tǒng)總成本降低20%。由于碳化硅整系尺寸的減小，使得其在質(zhì)量和空間上的應(yīng)用有了很大的發(fā)展。

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